905nmAPD ଏକକ ଟ୍ୟୁବ୍ ସିରିଜ୍ |

ମଡେଲ୍: GD5210Y-2-2-T046 / GD5210Y-2-5-T046 / GD5210Y-2-8-T046 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y-2-2-P / GD5210Y-2-5-P

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ଡିଭାଇସ୍ ହେଉଛି ଏକ ସିଲିକନ୍ ଆଭାଲାନ୍ସ ଫୋଟୋଡିଏଡ୍, ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରାଲ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଦୃଶ୍ୟମାନ ଆଲୋକ ଠାରୁ ନିକଟ ଇନଫ୍ରାଡ୍ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଏବଂ ଶିଖର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ 905nm ଅଟେ |

କୋଟ୍ ପାଆନ୍ତୁ | ଡାଉନଲୋଡ୍ କରନ୍ତୁ |

ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପାରାମିଟର |

ବ .ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ

ପ୍ରୟୋଗ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍ସ |

ଫଟୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ (＠ Ta ＝ 22 ± 3 \|℃)
ମଡେଲ୍ \|		GD5210Y-2-2-T046 \|	GD5210Y-2-5-T046 \|	GD5210Y-2-8-T046 \|	GD5210Y-2-2-LCC3 \|	GD5210Y-2-5-LCC3 \|	GD5210Y-2-2-P	GD5210Y-2-5-P	ଆରେ
ପ୍ୟାକେଜ୍ ଫର୍ମ \|		TO-46	TO-46	TO-46	LCC3	LCC3	ପ୍ଲାଷ୍ଟିକ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ \|	ପ୍ଲାଷ୍ଟିକ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ \|	PCB
ଫଟୋସେନସିଟିଭ୍ ଭୂପୃଷ୍ଠ ବ୍ୟାସ (mm)		0.23	0.50	0.80	0.23	0.50	0.23	0.50	କଷ୍ଟୋମାଇଜ୍
ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରାଲ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପରିସର (nm)		400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100
ଶିଖର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ (nm)		905	905	905	905	905	905	905	905
ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳତା \| λ = 905nm Φ = 1μW M = 100 (A / W)		55	55	55	55	55	55	55	55
ଗା ark କରେଣ୍ଟ M = 100 (nA)	ସାଧାରଣ	0.2	0.4	0.8	0.2	0.4	0.2	0.4	ଫଟୋସେନସିଟିଭିଟି ଅନୁଯାୟୀ \|
ଗା ark କରେଣ୍ଟ M = 100 (nA)	ସର୍ବାଧିକ	1.0	1.0	2.0	1.0	1.0	1.0	1.0	ଗୋଟିଏ ପାର୍ଶ୍ୱ \|
ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସମୟ λ = 905nm R1 = 50Ω (ns)		0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	ଫଟୋସେନସିଟିଭ୍ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଅନୁଯାୟୀ \|
କାର୍ଯ୍ୟ କରୁଥିବା ଭୋଲଟେଜ୍ ତାପମାତ୍ରା କୋଏଫିସିଣ୍ଟେଣ୍ଟ T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃)		0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9
ମୋଟ କ୍ଷମତା M = 100 f = 1MHz (pF)		1.0	1.2। 1.2	2.0	1.0	1.2। 1.2	1.0	1.2। 1.2	ଫଟୋସେନସିଟିଭ୍ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଅନୁଯାୟୀ \|
ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ \| IR = 10μA (V)	ସର୍ବନିମ୍ନ	130	130	130	130	130	130	130	160
ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ \| IR = 10μA (V)	ସର୍ବାଧିକ	220	220	220	220	220	220	220	200