1064nmAPD ଏକକ ଟ୍ୟୁବ୍ ସିରିଜ୍ |
| ଫଟୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ (＠ Ta ＝ 22 ± 3 |℃) | |||||
| ମଡେଲ୍ | | GD5210Y-3-500 | GD5210Y-3-800 | GD5211Y | ||
| ପ୍ୟାକେଜ୍ ଫର୍ମ | | TO-46 | TO-46 | TO-52 | ||
| ଫଟୋସେନସିଟିଭ୍ ଭୂପୃଷ୍ଠ ବ୍ୟାସ (mm) | 0.5। 0.5 | 0.8 | 0.8 | ||
| ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରାଲ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପରିସର (nm) | 400 ~ 1100 | 400 ~ 1100 | 400 ~ 1100 | ||
| ଶିଖର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ (nm) | 980 | 980 | 980 | ||
| ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳତା | | λ = 905nm Φ = 1μW | M = 100 | 58 | 58 | 58 | |
| λ = 1064nm Φ = 1μW | M = 100 | 36 | 36 | 36 | ||
| ଗା ark କରେଣ୍ଟ୍ | M = 100 (nA) | ସାଧାରଣ | 2 | 4 | 10 | |
| ସର୍ବାଧିକ | 20 | 20 | 20 | ||
| ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସମୟ λ = 800nm R1 = 50Ω (ns) | 2 | 3 | 3.5। 3.5 | ||
|
କାର୍ଯ୍ୟ କରୁଥିବା ଭୋଲଟେଜ୍ ତାପମାତ୍ରା କୋଏଫିସିଣ୍ଟେଣ୍ଟ T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃) | 2.2 | 2.2 | 2.2 | ||
| ସମୁଦାୟ କ୍ଷମତା M = 100 f = 1MHz (pF) | 1.0 | 1.5 | 3.5। 3.5 | ||
| ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ | IR = 10μA (V) | ସର୍ବନିମ୍ନ | 220 | 220 | 350 | |
| ସର୍ବାଧିକ | 580 | 580 | 500 | ||
ସାମ୍ନା ପ୍ଲେନ ଚିପ୍ ଗଠନ |
ଉଚ୍ଚ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି |
ଉଚ୍ଚ ଲାଭ
ଲେଜର ପରିସର
ଲିଡାର୍ |
ଲେଜର ଚେତାବନୀ |
ସାମ୍ନା ପ୍ଲେନ ଚିପ୍ ଗଠନ |
ଉଚ୍ଚ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି |
ଉଚ୍ଚ ଲାଭ
ଲେଜର ପରିସର
ଲିଡାର୍ |
ଲେଜର ଚେତାବନୀ |
