InGaAS-APD ମଡ୍ୟୁଲ୍ କ୍ରମ |
| ଫଟୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ (＠ Ta ＝ 22 ± 3 |℃) | |||
| ମଡେଲ୍ | | GD6510Y | GD6511Y | GD6512Y |
| ପ୍ୟାକେଜ୍ ଫର୍ମ | | TO-8 | TO-8 | TO-8 |
| ଫଟୋସେନସିଟିଭ୍ ଭୂପୃଷ୍ଠ ବ୍ୟାସ (mm) | 0.2 | 0.5। 0.5 | 0.08 |
| ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରାଲ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପରିସର (nm) | 1000 ~ 1700 | 1000 ~ 1700 | 1000 ~ 1700 |
| ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (V) | 30 ~ 70 | 30 ~ 70 | 30 ~ 70 |
| ଦାୟିତ୍ M M = 10 l = 1550nm (kV / W) | 340 | 340 | 340 |
| ଉଠିବା ସମୟ (ns) | 5 | 10 | 2.3 |
| ବ୍ୟାଣ୍ଡୱିଡଥ୍ (MHz) | 70 | 35 | 150 |
| ସମାନ ଶବ୍ଦ ଶକ୍ତି (pW / √Hz) | 0.15 | 0.21 | 0.11 |
| କାର୍ଯ୍ୟ କରୁଥିବା ଭୋଲଟେଜ୍ ତାପମାତ୍ରା କୋଏଫିସିଣ୍ଟେଣ୍ଟ T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃) | 0.12 | 0.12 | 0.12 |
| ଏକାଗ୍ରତା (μm) | ≤50 | ≤50 | ≤50 |
| ବିଶ୍ worldwide ବ୍ୟାପୀ ସମାନ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାର ବିକଳ୍ପ ମଡେଲଗୁଡିକ | | C3059-1550-R2A | | / | C3059-1550-R08B | |
ସାମ୍ନା ପ୍ଲେନ ଚିପ୍ ଗଠନ |
ଶୀଘ୍ର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା |
ଉଚ୍ଚ ଡିଟେକ୍ଟର ସମ୍ବେଦନଶୀଳତା |
ଲେଜର ପରିସର
ଲିଡାର୍ |
ଲେଜର ଚେତାବନୀ |
ସାମ୍ନା ପ୍ଲେନ ଚିପ୍ ଗଠନ |
ଶୀଘ୍ର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା |
ଉଚ୍ଚ ଡିଟେକ୍ଟର ସମ୍ବେଦନଶୀଳତା |
ଲେଜର ପରିସର
ଲିଡାର୍ |
ଲେଜର ଚେତାବନୀ |
