1064nmAPD ମଡ୍ୟୁଲ୍ କ୍ରମ |
ଫଟୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ (@ Ta = 22 ± 3 |℃) | |||
ମଡେଲ୍ | | GD6212Y | GD6213Y | GD6219Y |
ପ୍ୟାକେଜ୍ ଫର୍ମ | | TO-8 | TO-8 | TO-8 |
ଫଟୋସେନସିଟିଭ୍ ଭୂପୃଷ୍ଠ ବ୍ୟାସ (mm) | 0.8 | 0.8 | 3 |
ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରାଲ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପରିସର (nm) | 400 ~ 1100 | 400 ~ 1100 | 400 ~ 1100 |
ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (V) | 350 ~ 500 | 350 ~ 500 | 350 ~ 500 |
ଦାୟିତ୍ M M = 100 I = 1064nm (kV / W) | 150 | 200 | 280 |
ଉଠିବା ସମୟ (ns) | 8.8 | 2 | 7 |
ବ୍ୟାଣ୍ଡୱିଡଥ୍ (MHz) | 40 | 175 | 50 |
ସମାନ ଶବ୍ଦ ଶକ୍ତି (pW / √Hz) | 0.15 | 0.15 | 2.7 |
କାର୍ଯ୍ୟ କରୁଥିବା ଭୋଲଟେଜ୍ ତାପମାତ୍ରା କୋଏଫିସିଣ୍ଟେଣ୍ଟ T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃) | 2.2 | 2.2 | 2.4 |
ଏକାଗ୍ରତା (μm) | ≤50 | ≤50 | ≤50 |
ବିଶ୍ worldwide ବ୍ୟାପୀ ସମାନ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାର ବିକଳ୍ପ ମଡେଲଗୁଡିକ | | C30950 | C30659-1060-R8BH | | C30659-1060-3A |
ସାମ୍ନା ପ୍ଲେନ ଚିପ୍ ଗଠନ |
ଉଚ୍ଚ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି |
ଉଚ୍ଚ ଡିଟେକ୍ଟର ସମ୍ବେଦନଶୀଳତା |
ଲେଜର ପରିସର
ଲିଡାର୍ |
ଲେଜର ଚେତାବନୀ |
ସାମ୍ନା ପ୍ଲେନ ଚିପ୍ ଗଠନ |
ଉଚ୍ଚ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି |
ଉଚ୍ଚ ଡିଟେକ୍ଟର ସମ୍ବେଦନଶୀଳତା |
ଲେଜର ପରିସର
ଲିଡାର୍ |
ଲେଜର ଚେତାବନୀ |