ଚାରି-ଚତୁର୍ଥାଂଶ PIN ଏକକ ଟ୍ୟୁବ୍ ସିରିଜ୍ |
| ଫଟୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ (＠Ta＝22 ± 3℃) | |||||||||
| ମଡେଲ୍ | | GT111 | GT112 | GD3250Y | GD3249Y | GD3244Y | GD3245Y | GD32413Y | GD32414Y | GD32415Y |
| ପ୍ୟାକେଜ୍ ଫର୍ମ | | TO-8 | TO-8 | TO-8 | TO-20 | TO-31-7 | TO-31-7 | MBCY026-P6 | | TO-8 | MBCY026-W7W | |
| ଫଟୋସେନସିଟିଭ୍ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଆକାର (mm) | Φ4 | Φ6 | Φ8 | Φ10 | Φ10 | Φ16 | Φ14 | Φ5.3 | Φ11.3 |
| ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରାଲ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପରିସର (nm) | 400 ~ 1100 | 400 ~ 1100 | 400 ~ 1100 | 400 ~ 1100 | 400 ~ 1100 | 400 ~ 1100 | 400 ~ 1100 | 400 ~ 1150 | 400 ~ 1150 |
| ଶିଖର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ (nm) | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 |
| ପ୍ରତିକ୍ରିୟା λ = 1064nm (A / W) | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.4 | 0.4 | 0.4 | 0.5। 0.5 | 0.5। 0.5 |
| ଗା ark କରେଣ୍ଟ (nA) | 5 (ଭିR= 40V) | 7 (ଭିR= 40V) | 10 (ଭିR= 40V) | 15 (ଭିR= 40V) | 20 (ଭିR= 135V) | 50 (ଭିR= 135V) | 40 (ଭିR= 135V) | 4.8 (ଭିR= 140V) | ≤20 (ଭିR= 180V) |
| ଉଠିବା ସମୟ = 1064nm RL = 50Ω (ns) | 15 (ଭିR= 40V) | 20 (ଭିR= 40V) | 25 (ଭିR= 40V) | 30 (ଭିR= 40V) | 20 (ଭିR= 135V) | 30 (ଭିR= 135V) | 25 (ଭିR= 135V) | 15 (ଭିR= 140V) | 20 (ଭିR= 180V) |
| ଜଙ୍କସନ୍ କ୍ୟାପିଟାନ୍ସ f = 1MHz (pF) | 5 (ଭିR= 10V) | 7 (ଭିR= 10V) | 10 (ଭିR= 10V) | 15 (ଭିR= 10V) | 10 (ଭିR= 135V) | 10 (ଭିR= 135V) | 16 (ଭିR= 135V) | 4.2 (ଭିR= 140V) | 10 (ଭିR= 180V) |
| ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (V) | 100 | 100 | 100 | 100 | 300 | 300 | 300 | ≥300 | ≥250 |
ନିମ୍ନ ଅନ୍ଧାର ପ୍ରବାହ |
ଉଚ୍ଚ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳତା |
ଭଲ ଚତୁର୍ଥାଂଶ ସ୍ଥିରତା |
ଛୋଟ ଅନ୍ଧ ଦାଗ |
ଲେଜର ଲକ୍ଷ୍ୟ, ମାର୍ଗଦର୍ଶନ ଟ୍ରାକିଂ ଏବଂ ଅନୁସନ୍ଧାନ ଉପକରଣ |
ଲେଜର ମାଇକ୍ରୋ-ପୋଜିସନ୍, ବିସ୍ଥାପନ ମନିଟରିଂ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସଠିକତା ମାପ ପ୍ରଣାଳୀ |
ନିମ୍ନ ଅନ୍ଧାର ପ୍ରବାହ |
ଉଚ୍ଚ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳତା |
ଭଲ ଚତୁର୍ଥାଂଶ ସ୍ଥିରତା |
ଛୋଟ ଅନ୍ଧ ଦାଗ |
ଲେଜର ଲକ୍ଷ୍ୟ, ମାର୍ଗଦର୍ଶନ ଟ୍ରାକିଂ ଏବଂ ଅନୁସନ୍ଧାନ ଉପକରଣ |
ଲେଜର ମାଇକ୍ରୋ-ପୋଜିସନ୍, ବିସ୍ଥାପନ ମନିଟରିଂ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସଠିକତା ମାପ ପ୍ରଣାଳୀ |
