905nm APD

ମଡେଲ୍: GD5210Y-2-2-TO46 / GD5210Y-2-5-TO46 / GD5210Y-2-8-TO46 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y-2-2-P / GD5210Y-2-5-P / ଆରେ |

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ଏହା ହେଉଛି Si avalanche ଫୋଟୋଡିଏଡ୍ ଯାହା UV ରୁ NIR ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଉଚ୍ଚ ସମ୍ବେଦନଶୀଳତା ପ୍ରଦାନ କରେ |ଶିଖର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ ହେଉଛି 905nm |

କୋଟ୍ ପାଆନ୍ତୁ | ଡାଉନଲୋଡ୍ କରନ୍ତୁ |

ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପାରାମିଟର |

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍ସ |

ବ Features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ

ଫ୍ରଣ୍ଟସାଇଡ୍ ଆଲୋକିତ ଫ୍ଲାଟ ଚିପ୍ |
ଉଚ୍ଚ ଗତିର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା |
ଉଚ୍ଚ APD ଲାଭ |
ନିମ୍ନ ଜଙ୍କସନ କ୍ଷମତା |
କମ୍ ଶବ୍ଦ |
ଆରେ ସାଇଜ୍ ଏବଂ ଫଟୋସେନସିଟିଭ୍ ଭୂପୃଷ୍ଠ କଷ୍ଟମାଇଜ୍ ହୋଇପାରିବ |

ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ

ଲେଜର ପରିସର
ଲେଜର ରାଡାର |
ଲେଜର ଚେତାବନୀ |

ଫଟୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ପାରାମିଟର （@ Ta = 22 ± 3 ℃）

ଆଇଟମ୍ #	ପ୍ୟାକେଜ୍ ବର୍ଗ	ଫଟୋସେନସିଟିଭ୍ ପୃଷ୍ଠର ବ୍ୟାସ (mm)	ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରାଲ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପରିସର (nm)	ଶିଖର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ \| (nm)	ଦାୟିତ୍। \| λ = 905nm φe = 1μW \| M = 100 (A / W)	ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସମୟ λ = 905nm R_L= 50Ω （Ns）	ଗା ark କରେଣ୍ଟ୍ \| M = 100 (nA)		ତାପମାତ୍ରା କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ \| Ta = -40 ℃ ～ 85 ℃ \| （V / ℃）	ମୋଟ କ୍ଷମତା M = 100 f = 1MHz （PF）	ଭାଙ୍ଗିବା ଭୋଲଟେଜ୍ I_R= 10μA （V）
ଆଇଟମ୍ #	ପ୍ୟାକେଜ୍ ବର୍ଗ	ଫଟୋସେନସିଟିଭ୍ ପୃଷ୍ଠର ବ୍ୟାସ (mm)	ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରାଲ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପରିସର (nm)	ଶିଖର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ \| (nm)	ଦାୟିତ୍। \| λ = 905nm φe = 1μW \| M = 100 (A / W)	ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସମୟ λ = 905nm R_L= 50Ω （Ns）	ଟାଇପ୍ କରନ୍ତୁ \|	ସର୍ବାଧିକ	ତାପମାତ୍ରା କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ \| Ta = -40 ℃ ～ 85 ℃ \| （V / ℃）	ମୋଟ କ୍ଷମତା M = 100 f = 1MHz （PF）	ମିନିଟ୍	ସର୍ବାଧିକ
GD5210Y-2-2-TO46 \|	TO-46	0.23	400 ～ 1100	905	55	0.6	0.2	1.0	0.9	1.0	130	220
GD5210Y-2-5-TO46 \|	TO-46	0.50					0.4	1.0		1.2। 1.2
GD5210Y-2-8-TO46 \|	TO-46	0.80					0.8	2.0		2.0
GD5210Y-2-2-LCC3 \|	LCC3	0.23					0.2	1.0		1.0
GD5210Y-2-5-LCC3 \|	LCC3	0.50					0.4	1.0		1.2। 1.2
GD5210Y-2-2-P	ପ୍ଲାଷ୍ଟିକ୍ ପ୍ୟାକେଜ୍ \|	0.23					0.2	1.0		1.0
GD5210Y-2-5-P	ପ୍ଲାଷ୍ଟିକ୍ ପ୍ୟାକେଜ୍ \|	0.50					0.4	1.0		1.2। 1.2
ଆରେ	PCB	କଷ୍ଟୋମାଇଜ୍				ଫଟୋସେନସିଟିଭ୍ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଅନୁଯାୟୀ \|	ଫଟୋସେନସିଟିଭ୍ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଅନୁଯାୟୀ \|			ଫଟୋସେନସିଟିଭ୍ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଅନୁଯାୟୀ \|	160	200